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AI的发展超乎想象，现在连微信都接入了DeepSeek。AI运用的快速发展，离不开算力的大力支持。
一、HBM（高带宽内存）芯片是算力发展的关键支撑技术
HBM通过3D堆叠DRAM芯片并与处理器（如GPU或CPU）集成封装，提供极高的数据传输带宽和容量，具有高带宽、低延时和低功耗的优势，能够有效提升算力芯片的性能，从而成为高性能计算和AI芯片的核心组件，能够有效解决算力瓶颈。
算力需求也在推动HBM技术发展，随着AI、大数据和云计算等领域的快速发展，算力需求呈爆发式增长，随着AI算力需求的增加，HBM芯片的市场需求也在快速上升。2024年，HBM3和HBM3E的市场需求大幅增长，预计未来几年将继续保持高增长。云服务提供商和AI芯片制造商对HBM的依赖度越来越高。
二、HBM芯片的发展与氧化铪（HfO₂）密切相关
氧化铪是一种高介电常数（high-κ）材料，其介电常数约为20-25，远高于传统二氧化硅（SiO₂，κ=3.9）。这种特性使得氧化铪能够显著提高电容密度，降低漏电率，从而提升半导体器件的性能和集成度。
氧化铪通常通过原子层沉积（ALD）技术制备，这种方法可以精确控制薄膜的厚度，实现原子级的均匀生长。此外，氧化铪的宽带隙（约5.7 eV）和高熔点（约2800°C）使其在半导体器件中具有优异的绝缘性能和热稳定性。
在最新一代的HBM3及更高规格的DRAM中，氧化铪全面替代了传统的二氧化硅，作为高介电常数材料使用。这一替代突破了摩尔定律的极限，因为氧化铪能够在更小的尺寸下实现更高的性能和集成度。此外，氧化铪的高热稳定性和化学稳定性使其在高温和微加工过程中表现出色。
随着HBM技术的不断发展和应用范围的扩大，对氧化铪的需求也在持续增长。例如，三星电子和SK海力士等存储芯片大厂在生产HBM3规格的DRAM时，大幅增加了氧化铪的用量，目前氧化铪已经是严重供不应求状态，预计未来会更加紧缺！
由于氧化铪的紧缺，其价格飞速飙升，目前应用于电子级的氧化铪价格超过1000万元/吨。
三、三祥新材的锆铪分离技术值得期待
三祥新材提前几年布局锆铪分离技术，通过自身科研团队努力并与国内知名高校合作，开发了具有颠覆性的盐酸单体系锆铪分离技术，该技术采用自主研 发具有国际先进水平的“锆英砂沸腾氯化法”生产四氯化锆经水 解可自然形成盐酸体系，是目前最顶级的技术，具有萃取效率高，收率高、综合成本低、无三废产生的诸多优点，分离后的铪材料纯度极高，适用于半导体High-k材料（如DRAM存储芯片中的介电层）、核电控制棒、高温合金等高端领域。
三祥新材拥有全球最大的10万吨氧氯化锆规划产能，1万吨氧氯化锆预计可以生产60吨氧化铪，三祥新材的锆铪分离技术若实现突破，可能成为全球少数能稳定供应高纯铪的企业之一，打破国外垄断并降低半导体产业链成本，显著提升其在全球铪材料供应链中的地位，并为半导体前驱体材料国产化注入强劲动力。
存在风险： 1、实验室成果向产业化转化存在失败风险，且竞争对手可能加速技术迭代。
2、半导体行业周期性较强，需关注全球芯片产能与AI硬件投资节奏。
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